Nghiên cứu hiện tượng kết cặp của phonon quang dọc và plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn InAlAs

  • Dương Đình Phước
  • Đinh Như Thảo

Abstract

Tóm tắt: Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu về hiện tượng kết cặp của phonon quang dọc và plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn InxAl1−xAs bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi khảo sát sự lan truyền của sóng điện từ trong các lớp bán dẫn từ đó tìm ra sự phụ thuộc của hệ số truyền qua của các lớp bán dẫn vào tần số của sóng điện từ. Trong phổ truyền qua chúng tôi tìm thấy hai cực tiểu của các đồ thị tại các vị trí trùng với các tần số của phonon quang ngang của các bán dẫn InAs và AlAs. Quan trọng hơn, dưới điều kiện thí nghiệm thích hợp, chúng tôi tìm thấy một cực tiểu khác tại vị trí trùng với tần số của một mode kết cặp phonon quang dọc-plasmon. Cực tiểu này nằm trong vùng tần số TeraHertz và phụ thuộc rất nhạy vào nồng độ của điện tử nhưng không phụ thuộc vào độ dày của lớp bán dẫn. Từ khóa: Hiện tượng kết cặp, phonon quang dọc, plasmon, TeraHertz, InAlAs, hàm điện môi.
điểm /   đánh giá
Published
2019-01-28