Nghiên cứu đánh giá tổn hao công suất và hiệu suất của bộ nghịch lưu ba pha diode kẹp SiC MOSFET
Từ khóa
Tóm tắt
Bài báo này trình bày phân tích tổn hao công suất và hiệu suất của bộ nghịch lưu ba bậc (3L-NPC). Tính toán tổn hao công suất trên các linh kiện bán dẫn SiC 3L-NPC sử dụng kỹ thuật điều chế sóng mang (PD_PWM). Cấu thúc trên được mô hình hóa trên phần mềm mô phỏng PLECS để xác định tổng tổn hao và hiệu suất của SiC 3L-NPC. Các kết quả mô phỏng được phân tích đánh giá và so sánh với cấu trúc Si IGBT truyền thống. Hơn nữa, Sic MOSFET được sử dụng để đạt được hiệu suất của hệ thống ở tần số chuyển mạch cao. Kết quả sẽ xác minh các tính năng của bộ nghịch lưu SiC 3L-NPC, kỹ thuật điều chế tương ứng được sử dụng và tác dụng của chúng đối với việc giảm và cải thiện tổn hao công suất trong bộ nghịch lưu sử dụng bán dẫn công nghệ SiC.##plugins.themes.default.displayStats.downloads##
Tài liệu tham khảo
[1] B. N. Pushpakaran, A. S. Subburaj, S. B. Bayne, and J. Mookken, Mar. 2016,“Impact of silicon carbide semiconductor technology in the photovoltaic energy system," Renew. Sustain. Energy Rev., vol. 55, pp. 971–989.
[2] T. Zhou, Z. Shu, H. Lin, D. Luo, Y. Chen, and X. Guo, 2017, “A high-power density single-phase rectifier based on three-level neutral-point clamped circuits," Energies, vol. 10, no. 5, p. 697,
[3] B. Zhao, Q. Song, and W. Liu, Mar. 2014 "Experimental comparison of isolated bidirectional DC-DC converters based on All-Si and All-SiC power devices for next- generation power conversion application," IEEE Trans. Ind. Electron., vol. 61, no. 3, pp. 1389-1393.
[4] Y. Firouz, M. T. Bina, and B. Eskandari, Jan. 2014 "Efficiency of three-level neutral point clamped converters: Analysis and experimental validation of power losses, thermal modeling, and lifetime prediction," IET Power Electron., vol. 7, no. 1, pp. 209-219.
[5] Z. Zeng, W. Shao, H. Chen, B. Hu, W. Chen, H. Li, and L. Ran, Oct. 2017 "Changes and challenges of photovoltaic inverter with silicon carbide device," Renew. Sustain. Energy Rev., vol. 78, pp. 624–639.
