Ảnh hưởng của phương pháp chế tạo lên hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử
Tóm tắt
Trong nghiên cứu này, chúng tôi chế tạo màng a nốt quang TiO2/CdS/CdSe:Mn2+ với CdSe:Mn2+ được chế tạo theo hai phương pháp lắng đọng hóa học và phản ứng hấp thụ các ion nhằm cải thiện hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử. Kết quả thu được màng TiO2 có cấu trúc Anatase, CdS và CdSe pha tạp Mn đều có cấu trúc lập phương. Dạng hình học của màng cũng được ghi lại bằng kính hiển vi điện tử quét độ phân giải cao, hạt có dạng hình cầu. Kết quả hiệu suất thu được từ đường cong mật độ dòng và thế đối với TiO2/CdS/CdSe:Mn2+-CBD là 4,9% cao hơn so với 3,77% của TiO2/CdS/CdSe:Mn2+-SILAR. Hơn nữa, tính chất quang học, đường cong mật độ dòng và thế, điện trở động học của các pin mặt trời cũng được xác định chi tiết nhằm giải thích kết quả trên.
