HA TẠP KẼM TRONG CÁC DẢI SILICENE MỘT CHIỀU VỚI SỰ CÓ MẶT CỦA ĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI: MỘT NGHIÊN CỨU DFT

  • Vo Van On
  • Nguyen Thanh Tung
  • Nguyen Duy Khanh
  • Huynh Thi Phuong Thuy
  • Trieu Quynh Trang
  • Hoang Van Ngoc
Từ khóa: Silicene một chiều, cấu trúc pha tạp, pha tạp kẽm, điện trường ngoài

Tóm tắt

Các băng silicene một chiều được tạo ra từ vật liệu silicene với các cạnh được sửa đổi bởi hidro. Công trình này nghiên cứu pha tạp các nguyên tử kẽm vào các băng silicene một chiều, hệ chịu tác động của một trường ngoài. Có hai cấu hình được nghiên cứu, cấu hình top và cấu hình valley. Cấu trúc vùng năng lượng, mật độ trạng thái của các hệ pha tạp sẽ được vẽ và khảo sát bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và phần mềm VASP. Cấu hình top là cấu hình tối ưu và ổn định nhất trong các cấu hình được nghiên cứu. Nghiên cứu cũng chỉ ra rằng có những khoảng giá trị điện trường ngoài làm tăng năng lượng hình thành của hệ, có những khoảng giá trị làm giảm năng lượng hình thành của hệ, điều này nói lên khả năng bền vững của vật liệu dưới tác dụng của điện trường ngoài. Nghiên cứu tạo ra định hướng cho việc tạo ra những vật liệu mới và điều khiển các tính chất của vật liệu nhờ sử dụng điện trường ngoài

điểm /   đánh giá
Phát hành ngày
2022-11-15
Chuyên mục
Bài viết