KHẢO SÁT TỈ LỆ ÔXY TÁC ĐỘNG ĐẾN SỰ CHUYỂN PHA CẤU TRÚC VÀ CÁC TÍNH CHẤTMÀNG LOẠI p-SnOX:Na ĐƯỢC CHẾ TẠO BỞI PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG MAGNETRON DC

Tóm tắt

Màng bán dẫn loại p-SnOx:Na được chế tạo bằng phương phún xạ phản ứng magnetron DC với bia hợp kim gồm thiếc và 3 at% natri với khí phản ứng ôxy. Tỉ lệ phần trăm khí riêng phần ôxy (O2) thay đổi từ 7%, 12 %, 20 % và 45% và nhiệt độ đế (Ts) không đổi (2000C) trong suốt quá trình phún xạ. Khi tỉ lệ ôxy thay đổi từ 7% đến 45% thì có sự chuyển pha cấu trúc màng SnOx:Na từ đa tinh thể SnO, đến vô định hình SnO, Sn3O4, SnO2 và đa tinh thể SnO2. Các đặc trưng của màng SnOx:Na được đánh giá thông qua phổ UV-Vis, giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), hiệu ứng Hall. Màng SnOx:Na loại p được ứng dụng vào chế tạo photodiode với cấu trúc n-i-p (FTO/n-nc-Si:H/a-Si:H/p-SnO/Cu), có tỉ số Ion/Ioff = 56.