ỨNG DỤNG ĐẦU DÒ GAMMA NaI(Tl) – SILICON PHOTOMULTIPLIER (SiPM) TRONG CHỤP ẢNH CẮT LỚP ĐIỆN TOÁN CẤU HÌNH MỘT NGUỒN – MỘT ĐẦU DÒ

Tóm tắt

Chụp cắt lớp điện toán kiểm tra khuyết tật trong công nghiệp là kỹ thuật sử dụng tia bức xạ để tạo ra hình ảnh cấu trúc 3D bên trong của đối tượng tầm soát từ các ảnh chiếu từng phần 2D dựa trên thuật toán tái tạo hình ảnh. Trong đó, hệ chụp cắt lớp điện toán công nghiệp sử dụng đầu dò NaI(Tl) kết hợp ống nhân quang (PMT) gặp nhiều hạn chế như không sử dụng được trong điều kiện môi trường có từ trường, PMT được chế tạo từ ống thủy tinh chân không nên rất dễ vỡ, sử dụng cao thế để hoạt động làm cho hệ đo trở nên tốn kém. Nhằm cải tiến độ bền cơ học và tính thích ứng với điều kiện làm việc công nghiệp của hệ đo, ứng dụng đầu dò NaI(Tl) kết hợp nhân quang điện silicon (SiPM) trong ghi đo bức xạ hạt nhân của hệ chụp cắt lớp điện toán đã được đề xuất trong bài báo này. Hệ đo chụp ảnh cắt lớp điện toán cấu hình một nguồn – một đầu dò, sử dụng đầu dò NaI(Tl)+SiPM để thu nhận tín hiệu được thiết lập tại Phòng thí nghiệm Điện tử của Trung tâm Ứng dụng kỹ thuật hạt nhân trong công nghiệp. Thực nghiệm đánh giá hệ đo được thực hiện bằng cách chụp ảnh cắt lớp các mẫu vật, đã chứng minh được khả năng đáp ứng của đầu dò NaI(Tl)+SiPM trong chụp ảnh cắt lớp điện toán.