Tăng trưởng màng Aluminum Oxide trong thiết bị bán dẫn tiên tiến bằng kỹ thuật lắng đọng lớp nguyên tử

Abstract

Bài viết trình bày nghiên cứu tối ưu hóa phương pháp lắng đọng lớp nguyên tử (Atomic Layer Deposition - ALD) trong chế tạo lớp màng oxit nhôm (Al2O3), một vật liệu điện môi quan trọng trong các thiết bị bán dẫn hiện đại. Kết quả nghiên cứu cho thấy lớp màng Al2O3 được chế tạo bằng ALD đạt độ dày chính xác ở kích thước nanomet, đảm bảo độ đồng đều và độ tinh khiết cao, đáp ứng yêu cầu của các kiến trúc bán dẫn tiên tiến như FinFET và GAA. Nghiên cứu góp phần khẳng định tiềm năng của kỹ thuật ALD không chỉ trong nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của linh kiện bán dẫn, mà còn trong thúc đẩy quá trình phát triển và nội địa hóa công nghệ vật liệu bán dẫn tại Việt Nam.