THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG MẠCH TẠO XUNG SIÊU HẸP SỬ DỤNG STEP RECOVERY DIODE VÀ DIODE SCHOTTKY

Tóm tắt

Bài báo trình bày thiết kế và mô phỏng mạch tạo xung siêu hẹp sử dụng Step Recovery Diode và diode Schottky cho các ứng dụng như radar băng siêu rộng và thông tin vô tuyến tốc độ cao. Mạch được thiết kế với chi phí thấp, sử dụng các linh kiện phổ biến trên thị trường. Phương pháp nghiên cứu bao gồm nghiên cứu cấu trúc, đặc điểm của từng loại diode, thiết kế và mô phỏng mạch bằng phần mềm Multisim để kiểm tra độ rộng xung và biên độ tín hiệu. Kết quả cho thấy mạch sử dụng Step Recovery Diode MA44769 tạo xung với độ rộng khoảng 690 ps, trong khi diode Schottky BAT15-04 tạo xung khoảng 730 ps, đáp ứng yêu cầu của hệ thống UWB công suất thấp. Kết quả mô phỏng cho thấy rằng Step Recovery Diode có ưu điểm vượt trội về độ rộng xung và độ ổn định so với diode Schottky, là giải pháp tiềm năng cho các hệ thống radar và thông tin hiện đại.