NÂNG CAO HỆ SỐ NÉN TÍN HIỆU ĐỒNG PHA CỦA KHỐI TÁCH TÍN HIỆU VI SAI TRONG CẤU TRÚC CỦA THIẾT BỊ KHUẾCH ĐẠI ĐỒNG BỘ

Tóm tắt

Trong đo lường các đại lượng điện và từ trường, thiết bị khuếch đại đồng bộ (lock-in amplifier) được sử dụng rất rộng rãi để xác định các giá trị điện áp xoay chiều rất nhỏ cỡ micro vôn trên nền nhiễu đồng pha lớn, có thể gấp hàng triệu lần. Trên thị trường hiện nay, chưa có thiết bị khuếch đại đồng bộ nào có hệ số nén tín hiệu đồng pha đạt tới ngưỡng 180 dB trong dải tần số đến 1 kHz khi so sánh các điện áp xoay chiều có biên độ tới 10√2 V. Các tham số đo lường trên của thiết bị khuếch đại đồng bộ thường được quyết định bởi khối tách tín hiệu vi sai ở đầu vào của thiết bị. Nghiên cứu này hướng tới tìm kiếm giải pháp mạch để nâng cao hệ số nén tín hiệu đồng pha, mở rộng dải điện áp so sánh của khối tách tín hiệu vi sai bằng cách cải tiến cấu trúc của khối trên cơ sở sử dụng chíp khuếch đại đo lường và thiết kế, chế tạo, nguồn nuôi chuyên dụng, gọi chung là nguồn bám. Khối tách tín hiệu vi sai sau cải tiến cho phép so sánh các điện áp xoay chiều có biên độ tới 10√2V với giá trị hệ số nén tín hiệu đồng pha đạt ngưỡng 180 dB trong dải tần số đến 1 kHz. Kết quả của nghiên cứu đã được áp dụng trong chế tạo thiết bị khuếch đại đồng bộ và đã được ứng dụng trong thực tiễn tại các cơ sở đo lường và nghiên cứu.