XÁC ĐỊNH DIỆN TÍCH BỀ MẶT TƯƠNG TÁC ĐIỆN HÓA CỦA ĐIỆN CỰC NANO XỐP SILIC BẰNG QUÉT THẾ TUẦN HOÀN

Tóm tắt

Các cấu trúc nano xốp dựa trên silic (NP-Si) hiện được quan tâm nghiên cứu trong nhiều lĩnh vực liên quan đến quang điện hóa xúc tác (PEC). Vì vậy, xác định diện tích bề mặt tương tác điện hóa (ESA) của các cấu trúc nano Si này có vai trò quan trọng trong lựa chọn cấu trúc vật liệu và đánh giá hiệu quả xúc tác của chúng. Trong công trình này, ESA của điện cực nano xốp silic (NP-Si) được xác định bằng phương pháp quét thế tuần hoàn (CV). Điện cực nano xốp Si được chế tạo trên đế Si (loại n) bằng kỹ thuật ăn mòn điện hóa trong dung dịch axít HF. Điện cực NP-Si được quét CV trong dung dịch axit H₂SO₄ (0,1 M) trong vùng điện thế 0 ¸ 200 mV (so với điện cực chuẩn Ag/AgCl) cho xác định ESA dựa trên đặc tính điện dung của bề mặt NP-Si thông qua sự phụ thuộc tuyến tính của cường độ dòng điện hóa vào tốc độ quét của các đường CV. Điện cực nano xốp Si cũng được nghiên cứu tính ổn định bề mặt bằng kỹ thuật ngâm trong dung dịch H₂O₂. Giá trị ESA của điện cực NP-Si ở trạng thái ổn định được xác định là cỡ 150 cm² trên 1 cm² diện tích hình học bề mặt.