TÍNH THỜI GIAN SỐNG CỦA EXCITON TRONG CHẤM LƯỢNG TỬ INP VÀ CDSE THEO NGUYÊN LÝ ĐẦU TIÊN

Tóm tắt

Chúng tôi tính toán thời gian sống của exciton trong các chấm lượng tử InP và CdSe hình cầu. Trong thực nghiệm, các chấm lượng tử InP và CdSe có thể được phủ bởi một lớp bán dẫn khác để tạo thành cấu trúc lõi-vỏ hoặc bởi các phân tử hữu cơ, vô cơ. Trong tính toán của chúng tôi, các chấm lượng tử được phủ bởi các nguyên tử giả Hydro nhằm loại bỏ các trạng thái bề mặt gây ra bởi các liên kết hở. Năng lượng và hàm sóng một hạt thu được từ phương pháp Atomic effective pseudopotentials (AEPs). Lý thuyết tương tác cấu hình (CI) được sử dụng cho các tính toán exciton. Trong bài báo này, thời gian sống phát xạ được tính bằng lý thuyết nhiễu loạn phụ thuộc thời gian chuẩn. Các liên kết hở của các nguyên tử P và Se ở bề mặt chấm lượng tử được dùng để giải thích thời gian sống hữu hạn của các exciton tối. Kết quả của chúng tôi phù hợp với các phép đo thực nghiệm đối với các chấm lượng tử lõi-vỏ nhưng khác biệt đáng kể so với các chấm lượng tử được phủ bởi các phân tử hữu cơ hoặc bởi vỏ phức tạp hơn.