Cải thiện dòng ngắn mạch trong pin mặt trời silic đơn tinh thể

Tóm tắt

Trong bài báo này chúng tôi trình bày chuỗi các thí nghiệm nhằm từng bước cải thiện dòng ngắn mạch trong pin mặt trời silic đơn tinh thể, từ đó gia tăng hiệu suất của pin. Thứ nhất, chúng tôi tối ưu hóa lớp điện cực mặt trước để giảm thiểu sự che sáng do điện cực và điện trở của pin. Thứ hai, chúng tôi nghiên cứu các phương pháp xử lý bề mặt đế silic để tạo ra bề mặt nhám nhằm giảm độ phản xạ toàn phần và làm tăng khả năng hấp thụ ánh sáng của đế silic. Cuối cùng chúng tôi nghiên cứu hai loại màng chống phản xạ khác nhau cho pin mặt trời: màng silicon nitride với khả năng thụ động hóa bề mặt và màng indium tin oxide với khả năng dẫn điện để giảm hơn nữa độ phản xạ toàn phần trên đế silic. Kết quả thu được pin mặt trời có hiệu suất 13%, với thế hở mạch 527mV, hệ số điền đầy 68% và dòng ngắn mạch vào khoảng 7.92 mA/cm2 dưới cường độ ánh sáng tới 21mW/cm2.