Nghiên cứu cấu trúc lamellar của màng trao đổi proton fluor hóa tạo dạng ghép sử dụng phương pháp tán xạ tia X góc nhỏ: sự phụ thuộc vào quy trình chế tạo mẫu và mức độ ghép mạch hướng ứng dụng cho pin nhiên liệu

Tóm tắt

Sự thay đổi cấu trúc lamellar của màng dẫn proton ETFE-PEM theo quy trình chế tạo mẫu và mức độ ghép mạch bức xạ (GD) được nghiên cứu bởi kỹ thuật tán xạ tia X góc nhỏ. Thông tin chi tiết cấu trúc lamellar bao gồm khoảng cách lamellar L, bề dày lamellar tinh thể L_c, bề dày lamellar vô định hình L_a, và phần trăm tinh thể L_c/L được xác định bằng hàm tương quan một chiều. Cấu trúc lamellar chỉ thay đổi tại bước ghép mạch bức xạ và không phụ thuộc vào quá trình lưu huỳnh hoá. Với GD ³ 79 %, giá trị L_c giảm xuống mạnh mẽ (tương ứng với sự tăng lên mạnh mẽ của L_a) nhưng sau đó không đổi trên toàn giá trị GD = 79-117 %. Cần nhấn mạnh rằng sự không giảm giá trị của L_c, L_a, và phần trăm tinh thể trên toàn giá trị GD = 79-117 % là nguồn gốc của việc dẫn proton cao, tính chất cơ học tốt của màng hoạt động tại điều kiện khắt khe để ứng dụng cho pin nhiên liệu.