Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:In bằng phương pháp phún xạ magnetron DC

  • Hồ Văn Bình
  • Lê Vũ Tuấn Hùng
  • Lê Quẹo
  • Phạm Thanh Tuân
  • Dương Ái Phương
  • Lê Văn Hiếu

Tóm tắt

Màng ZnO:In được chế tạo trên đế thuỷ tinh bằng phương phún xạ magnetron dc từ bia gốm ZnO:In. Các bia gốm ZnO:In có nồng độ In2O3 thay đổi từ 1 đến 4% khối lượng. Màng có điện trở suất 1.79 x 10-3 Ωcm với độ dày màng khoảng 1µm ứng với bia gốm có 2%In2O3, nhiệt độ đế khoảng 240oC. Tất cả các màng ZnO:In đều có độ truyền qua trên 85% trong vùng ánh sáng khả kiến.

điểm /   đánh giá
Phát hành ngày
2012-09-14
In ra
Tập. 14 Số. 1T (2011)
Chuyên mục
BÀI BÁO
Copyright belongs to VNU-HCM “Science and Technology Development” Journal. Any copy or reprinting of any form must be permitted by the Journal.