CHẾ TẠO THANH/ DÂY NANO BÁN DẪN InAs TRÊN ĐẾ Si (111) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN (VLS)

Abstract

Dây/ thanh nano InAs được chế tạo thành công trên đế Si (111) bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS) sử dụng xúc tác hạt nano Au. Đường kính của các thanh/ dây nano InAs từ vài chục nano đến vài trăm nano mọc thẳng đứng trên đế tại nhiệt độ 480 o C, thời gian 30 phút, giúp tăng cường hiệu suất chuyển đổi quang - điện trong các linh kiện quang điện - điện tử. Dây/thanh nano InAs chỉ thể hiện các thành phần In, As và một lượng nhỏ Au xúc tác thông qua phổ nhiễu xạ phân tán năng lượng tia X (EDS), điều này chứng tỏ dây/ thanh chế tạo có độ tinh khiết cao. Cấu trúc tinh thể của InAs thể hiện pha lập phương tâm mặt (zinc-blendeZB) được xác định thông qua phương pháp phổ nhiễu xạ điện tử X-ray (XRD). Phổ phát xạ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng của thanh/ dây nano InAs thể hiện sự không đối xứng với đỉnh huỳnh quang tại bước sóng 2696nm (0,46eV), điều này có thể khẳng định được thanh/ dây nano InAs có đường kính không đồng đều. Kết quả nghiên cứu hướng đến khả năng chế tạo các dây/thanh nano InAs chế tạo bằng phương pháp VLS hướng tới ứng dụng chế tạo linh kiện nano quang điện tử hiệu năng cao.