CHẾ TẠO DÂY NANO In2O3 TRÊN ĐẾ InP(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Au

Tóm tắt

Bài báo trình bày kết quả tổng hợp thành công dây nano In2O3/InP(100) bằng
phương pháp hơi lỏng rắn (VLS), sử dụng hạt xúc tác Au chiều dày 22nm. Tại nhiệt
độ biến tính 500o
C, dây nano mọc thẳng đứng trên đế InP có đường kính thay đổi
từ 30 -70nm và chiều dài của dây từ vài chục nano đến vài trăm μm. Hình thái học
của dây nano In2O3 phụ thuộc chủ yếu vào kích thước của hạt xúc tác nano Au ban
đầu, áp suất chân không, nhiệt độ và thời gian biến tính. Kết quả nghiên cứu
hướng đến một sự đa dạng nguồn In khác nhau, để nuôi dây nano In2O3 hiệu năng
cao phục vụ chế tạo linh kiện quang điện - điện tử nano trong tương lai.