Nghiên cứu quá trình lắng đọng màng mỏng silic vô định hình và màng dẫn điện trong suốt ito ứng dụng vào cấu trúc pin mặt trời màng mỏng mối nối dị thể

Tóm tắt

Trong cấu trúc pin mặt trời với lớp tiếp xúc dị thể ở nghiên cứu này, lớp màng mỏng silic vô định hình pha tạp loại n được phủ lên đế wafer silic tinh thể loại p bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) để tạo mối nối p-n. Một lớp màng mỏng silic vô định hình không pha tạp (a-Si:H) đóng vai trò lớp hấp thụ nằm ở giữa. Lớp màng dẫn điện trong suốt Indium Tin Oxide (ITO) đóng vai trò là lớp dẫn điện và chống phản xạ được phủ bằng phương pháp phún xạ magnetron. Hai hiệu ứng cơ bản được chú trong để tăng hiệu suất của pin là thụ động hóa tốt bề mặt tiếp xúc a-Si/c-Si. Đồng thời giảm khả năng hấp thụ ánh sáng và điện trở bề mặt của lớp màng ITO. Kết quả nghiên cứu đã chế tạo được lớp màng a-Si chất lượng khá tốt ở điều kiện nhiệt độ thấp 200ºC. Lớp ITO chất lượng cao với điện trở bề mặt dưới 15ohm/sq, độ truyền qua 70% được lắng đọng với công suất plasma khá thấp.