Nghiên cứu chế tạo màng TiN bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC

Tóm tắt

Màng Titanium nitride (TiN) được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng magnetron DC trên đế thủy tinh. Trong công trình này, chúng tôi nghiên cứu sự ảnh hưởng của nhiệt độ đế, thế phún xạ ngưỡng theo tỉ lệ khí , áp suất phún xạ và khỏang cách bia - đế lên tính chất cấu trúc, điện  và quang của màng. Các tính chất của màng được nghiên cứu bằng cách sử dụng phương pháp đo nhiễu xạ tia X, phương pháp bốn mũi dò, phổ truyền qua quang học.

Kết quả cho thấy, nhiệt độ đế, thế phún xạ ngưỡng theo tỉ lệ N₂/ Ar , áp suất phún xạ và khỏang cách bia-đế ảnh hưởng đến cấu trúc, tính chất điện và quang của màng. Màng có điện trở suất thấp nhất 35 mW.cm, chiết suất và hệ số tắt của màng ở bước sóng 550 nm lần lượt là 1.14 và 2.13, được chế  tạo ở nhiệt độ đế 200⁰C, khoảng cách bia-đế 4.5cm, áp suất phún xạ 3 mtorr, thế phún xạ ngưỡng 550 V ở tỉ lệ N2/Ar=0