Tối ưu hóa tính chất quang điện màng dẫn điện trong suốt SnO2:Sb (ATO) loại p được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron

Tóm tắt

Màng SnO₂ pha tạp Sb (ATO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO₂+ Sb₂O₃) bằng phương pháp phún xạ magnetron dòng một chiều (DC) trong khí nền Ar ở áp suất 2,10^-3 torr. Phổ nhiễu xạ tia X (XRD), hiệu ứng Hall và phổ truyền qua UV-VIS được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Nhiệt độ đế của màng được khảo sát theo hai cách, cách thứ nhất màng được ủ trong khí Ar sau khi được lắng đọng ở nhiệt độ phòng, cách thứ hai màng được lắng đọng trực tiếp theo nhiệt độ đế. Kết quả cho thấy, màng ATO được tạo theo cách thứ nhất dễ dàng cho loại p hơn. Màng có tính chất điện loại p, có cấu trúc đa tinh thể bốn phương (tetragonal – tứ giác) rutile của màng SnO₂ tinh khiết, và có độ truyền qua trong vùng khả kiến trên 80 % ở nhiệt độ ủ tối ưu 500 ⁰C. Tính chất điện của màng tốt nhất với điện trở suất, nồng độ lỗ trống và độ linh động tương ứng là 0,55 W.cm, 1,2.10¹⁹ cm^-3 và 0,54 cm²V¹s^-1 và phần trăm Sb₂O₃ tối ưu trong bia là 10 % wt