Chế tạo điện cực dẫn điện trong suốt dựa trên tổ hợp lai bạc nanowire và graphene ở nhiệt độ thấp

Tóm tắt

Gần đây, graphene đang rất được chú ý do các ứng dụng tiềm năng của nó trong các thiết bị điện tử và quang điện tử. Graphene thường được chế tạo bằng phương pháp Hummer hoặc Hummer' cải tiến. Các phương pháp này rất thích hợp cho việc sản xuất quy mô lớn với chi phí thấp nhưng những nhược điểm chính của phương pháp này là việc sử dụng các tác nhân oxy hóa mạnh sẽ làm cho màng graphene bị nát, dẫn đến giảm đáng kể tính dẫn điện của màng. Trong bài báo này, chúng tôi trình bày một phương pháp rẻ tiền, nhanh chóng và đơn giản để chế tạo điện cực lai dựa trên các dây nano bạc (Ag NWS) với graphene (CCG) trên các đế tùy ý. Những điện cực này có điện trở thấp (18 Ω/sq) và độ truyền qua cao (82,4 %), có thể so sánh với điện cực trong suốt ITO. Điện cực chế tạo được có tỉ số d_DC/d_OP = 104, gần bằng với đế ITO thương mại. Đặc biệt, toàn bộ quá trình chế tạo được thực hiện ở nhiệt độ thấp. Các màng graphene được quay phủ trực tiếp trên bề mặt đế mà không cần transfer, tránh được rất nhiều khó khăn, hệ lụy do phương pháp này mang lại