Chế tạo và khảo sát tính chất của linh kiện trở nhớ trên đế dẻo (PET)

Tóm tắt

Trong công trình này, chúng tôi đã chế tạo thành công linh kiện trở nhớ dựa trên nền vật liệu oxide kim loại chuyển tiếp TiO₂ trên đế thương phẩm ITO/PET. Với độ dày lớp màng mỏng TiO₂ là 100 nm, kết quả khảo sát độ truyền qua cho thấy linh kiện có độ truyền qua trung bình lớn hơn 80 % trong vùng ánh sáng khả kiến, đạt 85 % ở bước sóng 550 nm. Đặc biệt, cấu trúc Ag/TiO₂/ITO thể hiện tính chất đảo điện trở thuận nghịch theo dạng lưỡng cực dưới sự phân cực của điện trường trong khoảng từ -2 V đến +2 V ở trạng thái ban đầu (phẳng) và sau khi bị tác động ngoại lực (uốn cong) đến 500 lần. Các kết quả từ nghiên cứu này đã mở ra một tiềm năng ứng dụng mới cho bộ nhớ đảo điện trở có tính chất đàn hồi và trong suốt (TFRRAM) trên các loại đế chịu nhiệt kém.