Chế tạo và khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất quang và điện của màng dẫn điện trong suốt SnO2:Ga (GTO) loại p được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC

Tóm tắt

Màng SnO₂ pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO₂ + Ga₂O₃) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong khí nền Ar ở áp suất 4.10^-3 torr. Ảnh nhiễu xạ tia X (XRD), phương pháp đo Hall Van Der Pauw và phổ truyền qua UV- Vis được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Màng GTO được lắng đọng  trực tiếp theo nhiệt độ đế từ nhiệt độ phòng đến 400 ^oC để khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất quang và điện, cấu trúc tinh thể của màng. Sau đó màng GTO được lắng đọng ở nhiệt độ đế 400 ^oC và được ủ ở các nhiệt độ cao hơn để khắc phục hiện tượng bù giữa hai loại hạt tải. Tính chất điện loại p màng GTO được khẳng định bởi đặc trưng I-V của tiếp xúc dị thể p-GTO/n-Si. Kết quả cho thấy, màng GTO có tính chất điện loại n ở nhiệt độ đế dưới 400 ^oC, không dẫn điện ở nhiệt độ đế 400 ^oC và có tính chất điện loại p tốt nhất với điện trở suất 0,63 W.cm, độ linh động 3,01 cm²V^-1s^-1, nồng độ lỗ trống 3,3×10¹⁸ cm^-3, ở nhiệt độ ủ tối ưu 550 ^oC. Màng GTO có cấu trúc tinh thể bốn phương rutile của màng SnO₂ và có độ truyền qua trên 80 %.