CẤU TRÚC HÌNH HỌC VÀ TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA MỘT SỐ OLIGOME DẪN XUẤT FLO H ÓA CỦA THIOPHEN VÀ 1H-PHOSPHOL: VẬT LIỆU BÁN DẪN HỮU CƠ LOẠI N HAY P ?

Tóm tắt

Sử dụng hóa tính toán với phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) nghiên cứu cấu trúc và  tính chất điện tử của một số dẫn xuất thế flo, perfloaren của oligome thiophen và phosphol. Độ liên hợp pi của  mạch oligome được dự đoán bằng nhiều cách khác nhau, trong đó có cả phương pháp dựa trên sự phân tích của phổ Raman. Đặc tính hạt tải điện của một số oligome với nhóm  thế mới ở dạng  điện tử dẫn  (dẫn loại –n) hay những lỗ trống điện tử  (dẫn loại – p) được dự đoán dựa trên năng lượng biên HOMO và LUMO, năng lượng ở trạng thái kích thích và năng lượng tái cấu trúc. Kết quả tính toán phù hợp với một số kết quả thực nghiệm cả về cấu trúc và tính chất dẫn điện. Kết quả cũng cho thấy để thiết kế vật liệu dẫn  mới loại n cần  đưa nhóm rút điện tử vào mạch oligome. Một số tính chất thu vị  dự đoán được từ  oligome 1H-phosphol hứa hẹn cho một loại vật liệu bán dẫn hữu cơ mới.