Nghiên cứu chế tạo vật liệu HgZn3 ứng dụng làm điện cực cho pin thủy ngân oxit-kẽm

  • Nguyễn Văn Bằng Viện Vật liệu, Sinh học và Môi trường/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Phùng Khắc Nam Hồ Viện Vật liệu, Sinh học và Môi trường/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Trần Văn Chinh Viện Vật liệu, Sinh học và Môi trường/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Nguyễn Văn Tú Viện Vật liệu, Sinh học và Môi trường/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Nguyễn Thị Hoài Phương Viện Vật liệu, Sinh học và Môi trường/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
Từ khóa: Pin thuỷ ngân oxit-kẽm; XRD; EDX; SEM; Dung lượng điện hoá; Hỗn hống.

Tóm tắt

Pin thủy ngân oxit-kẽm trong môi trường kiềm là pin điện hóa sơ cấp được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khoa học công nghệ, y tế, thiết bị hiện trường,… Để tăng độ bền chống ăn mòn điện cực trong môi trường kiềm cũng như tăng hiệu hiệu suất phóng và dung lượng của pin, kẽm cần được hỗn hống hóa. Bài báo này giới thiệu kết quả nghiên cứu chế tạo và đánh giá đặc trưng của vật liệu HgZn3. Vật liệu được đặc trưng bằng phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD), phổ tán xạ năng lượng tia X (EDX), kính hiển vi điện tử (SEM). Kết quả nghiên cứu cho thấy tỷ lệ khối lượng Zn :HgCl2 phản ứng cho sản phẩm hốn hống tốt nhất để làm điện cực âm của pin thuỷ ngân oxit-kẽm là 3:1. Vật liệu có độ tinh thể cao, hàm lượng Hg khoảng 10,8% về khối lượng. Pin xả xuống tới điện áp 0,9 V trong khoảng 209 giờ đạt dung lượng 2823 mAh.

điểm /   đánh giá
Phát hành ngày
2024-08-25
Chuyên mục
Hóa học, Sinh học & Môi trường