Nghiên cứu thiết kế, công nghệ chế tạo vi mạch tích hợp cho bảng mạch tín hiệu hiệu chỉnh trong cơ cấu phóng 9П516

Tóm tắt

Bài báo trình bày Công nghệ chế tạo vi mạch tích hợp lai theo công nghệ màng dày sử dụng vật liệu gốm với các phần tử thụ động: điện trở, tụ điện, cuộn cảm, các đường dẫn, tiếp điểm được chế tạo trên bề mặt của các tấm đế cách điện theo công nghệ màng dày, các phần tử tích cực (transitor, điot…) được lắp trên tấm đế thông qua công nghệ hàn dán. Ứng dụng công nghệ vi mạch lai trên bảng mạch hiệu chỉnh trong cơ cấu phóng tổ hợp phòng không.