Nghiên cứu, thiết kế bộ tạo dao động ngoại sai tạp pha thấp cho ra đa băng X

Tóm tắt

Bài báo này trình bày kết quả nghiên cứu, thiết kế và chế tạo một bộ tạo dao động cộng hưởng điện môi (DRO) có nhiễu pha thấp, hoạt động ở tần số 9.4 GHz cho các ứng dụng ra đa băng X. Một bộ cộng hưởng điện môi có hệ số phẩm chất cao, hoạt động ở chế độ, đã được sử dụng nhằm đạt được độ ổn định tần số và giảm nhiễu pha. Bộ tạo dao động được thực hiện bằng cấu trúc ghép vi dải, trong đó, một transistor GaAs FET được sử dụng làm phần tử tích cực trong mạch hồi tiếp. Các mô phỏng điện từ trường và mạch đã được tiến hành trên phần mềm CST và ADS để tối ưu hóa ghép cộng hưởng và thiết kế hồi tiếp, đảm bảo dao động ổn định và hạn chế các chế độ ký sinh. So với các thiết kế bộ dao động thông thường, DRO đề xuất đạt được độ ổn định tần số cao hơn và nhiễu pha thấp hơn trong khi vẫn duy trì kích thước nhỏ gọn. Những đặc điểm này khiến thiết kế trở nên rất phù hợp cho các bộ thu phát ra đa băng X hiện đại và các hệ thống siêu cao tần khác đòi hỏi bộ tạo dao động ngoại sai có nhiễu thấp và độ ổn định cao.