Pin mặt trời chấm lượng tử trên cơ sở các điện cực catot khác nhau

Tóm tắt

Pin mặt ười chấm lượng tử được chế tạo trên cơ sở màng anốt TiOz/CdS/CdSe/ZnS được chế tạo bằng phương pháp SELAR và các điện cực catốt CuS, CU2S, PbS được chế tạo bằng phương pháp ngâm hóa học. Kết quả hiệu suất thu được 0,85 % đối với ca tốt CU2S cao hơn so vởi pin trên cơ sở các điện cực catốt khác. Với kết quả thu được, pin mặt trời trên cơ sở các catốt CU2S, CuS, PbS hứa hẹn sẽ thay thế catốt Pt thương mại.