EXCITON TRONG ĐƠN LỚP PHỐT-PHO ĐEN BẤT ĐẲNG HƯỚNG KHI CÓ MẶT CỦA TỪ TRƯỜNG – TIẾP CẬN ĐẠI SỐ

Abstract

Exciton trong vật liệu bán dẫn đơn lớp đang được quan tâm rộng rãi do các ứng dụng quan trọng trong quang điện tử. Phương pháp đại số tiếp cận vấn đề này đã được phát triển cho exciton trong vật liệu đơn lớp chalcogen đôi kim loại chuyển tiếp với nhiều kết quả quan trọng. Trong công trình này, chúng tôi tiếp tục phát triển cách tiếp cận đại số đó cho exciton trong một loại vật liệu đơn lớp khác, có cấu trúc bất đẳng hướng, là phốt-pho đen. Bài toán này có cấu trúc phức tạp hơn, tuy nhiên chúng tôi đã xây dựng được biểu diễn đại số cho phương trình Schrödinger qua các toán tử sinh hủy lượng tử, sau đó xây dựng bộ hàm sóng cơ sở và thu được biểu thức giải tích cho các yếu tố ma trận với bộ hàm cơ sở này. Kết hợp với tính toán đại số, lí thuyết nhiễu loạn có điều tiết được áp dụng cho bài toán khi có mặt từ trường, cho kết quả phù hợp với tính toán của phương pháp khác mặc dù mới tính đến gần đúng bậc không. Kết quả này là một bước quan trọng, thúc đẩy việc áp dụng phương pháp đại số cho exciton hai chiều bất đẳng hướng ở các bậc cao hơn trong các công trình tiếp theo.