CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN CuInS2 VÀ CuInS2/ZnS

Tóm tắt

Trong nghiên cứu này, chúng tôi trình bày kết quả chế tạo và tính chất quang của chấm lượng tử ba thành phần CuInS₂ và cấu trúc lõi/vỏ CuInS₂/ZnS. Các chấm lượng tử CuInS₂ và CuInS₂/ZnS được chế tạo bằng phương pháp gia nhiệt trong dung môi diesel. Phổ hấp thụ, huỳnh quang và huỳnh quang phân giải thời gian đã được sử dụng để nghiên cứu tính chất quang của các mẫu chế tạo được. Kết quả nghiên cứu cho thấy huỳnh quang của các chấm lượng tử bán dẫn CuInS₂ có bản chất là do tái hợp điện tử - lỗ trống ở các cặp đô nơ - ắc xép tơ. Với các chấm lượng tử ba thành phần CuInS₂ được bọc vỏ ZnS, lớp vỏ ZnS đã có tác dụng thụ động hóa các sai hỏng trên bề mặt của các chấm lượng tử  CuInS₂ giúp hạn chế các kênh tiêu tán năng lượng. Các chấm lượng tử có cấu trúc lõi/vỏ CuInS₂/ZnS phát huỳnh quang tốt hơn so với lõi CuInS₂, ngoài ra còn quan sát thấy xuất hiện dải phổ của lớp vỏ ZnS trên phổ huỳnh quang phân giải thời gian.