CÁC HỆ SỐ CHUYỂN ĐỘNG ELECTRON TRONG HỖN HỢP SiH4-He CHO MÔ HÌNH CHẤT LỎNG
Từ khóa:
hỗn hợp SiH4-He, màng a-Si:H, các hệ số chuyển động electron, phương trình xấp xỉ Boltzmann bậc hai, Bolsig .
Tóm tắt
Các hệ số chuyển động electron tương ứng với E/N (tỉ lệ điện trường E và
mật độ số lượng hạt trung hòa N) trong dải 0,1 - 1000Td (Townsend) cho các
hỗn hợp khí 10%, 30%, 50%, 70% và 90% SiH4-He (tỉ lệ trộn theo thể tích)
được tính toán sử dụng chương trình Bolsig+. Các tính toán này dựa trên bộ
tiết diện va chạm electron đáng tin cậy cho phân tử SiH4 và nguyên tử He. Do
đó, kết quả này sẽ là nguồn dữ liệu cần thiết cho các ứng dụng sử dụng hỗn
hợp SiH4-He, đặc biệt trong lắng đọng màng mỏng a-Si:H sử dụng plasma
ghép điện dung.